通常，半導(dǎo)體器件是通過在作為半導(dǎo)體襯底的晶圓上選擇性地重復(fù)執(zhí)行光刻、蝕刻、擴(kuò)散、離子注入和金屬沉積等工藝制成的。在這些不同的工藝中經(jīng)常執(zhí)行的工藝之一是擴(kuò)散工藝，用于在晶片上浸漬P型或N型雜質(zhì)或形成或生長特定薄膜，例如氧化膜或氮化物膜。在該擴(kuò)散過程中，使用化學(xué)氣相沉積（CVD）方法。CVD方法是通過在晶片表面向設(shè)備提供化學(xué)源以引起晶片表面的擴(kuò)散，在晶片上沉積介電膜，導(dǎo)電膜，半導(dǎo)體膜等的技術(shù)。CVD 和大氣壓 CVD。此外，通常使用等離子體CVD或光激發(fā)CVD。其中，LP（低壓）CVD主要用作在低于常壓的壓力下在晶圓表面沉積必要材料的方法。采用LPCVD法的擴(kuò)散工藝主要具有均勻性好、重復(fù)性好、缺陷率低等優(yōu)點 1是立式擴(kuò)散爐的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，立式擴(kuò)散爐1主要包括立式擴(kuò)散爐1、立式擴(kuò)散爐1、立式擴(kuò)散爐1、外管3、加熱器塊4、法蘭10、舟5和吊卡蓋6。內(nèi)管2是由石英制成的圓柱形管，在船上插入裝有多個晶片W的舟5，形成一個空間，在該空間中化學(xué)氣相沉積在晶片W上進(jìn)行。外管3具有縱向形狀，2）以預(yù)定間隔。外管3包圍外管3，將外管3的內(nèi)溫加熱到工藝所需的適當(dāng)溫度。加熱器塊4設(shè)置在法蘭10上。內(nèi)管2和外管3分別設(shè)置在法蘭10上。吊卡蓋6附在法蘭10的下端，用于升降舟5并密封外管3和法蘭10的內(nèi)側(cè)。法蘭10具有垂直體11的上部設(shè)置有上聯(lián)軸器部分12，該耦合部分沿水平方向突出，其中設(shè)置內(nèi)管2和外管3，下聯(lián)軸器部分13與本體11的下部形成一體，以便沿水平方向突出并設(shè)置電梯蓋6。本體11具有本體11，真空口14與真空室11a的空心11a相通形成。用于注入擴(kuò)散氣體的氣體端口15在本體11的一側(cè)形成以便與空心11a相通。這樣形成的立式擴(kuò)散爐1連接到真空泵（未示出）連接到真空口14以抽空法蘭10的內(nèi)部和內(nèi)管2，然后通過氣體口15注入用于擴(kuò)散的氣體以轉(zhuǎn)移堆疊在船上的晶片W， 上述擴(kuò)散擴(kuò)散爐是一種常用的類型，最近開發(fā)的擴(kuò)散法蘭已經(jīng)開發(fā)出帶有冷卻裝置的擴(kuò)散法蘭，以防止過高的溫度轉(zhuǎn)移到晶圓上。韓國專利公開號2006-0117588（一種擴(kuò)散爐和一種用于制造具有冷卻系統(tǒng)的集成電路的擴(kuò)散爐冷卻方法）is公開為隨裝置提供的擴(kuò)散法蘭。如圖2所示，在紙10中形成法蘭和冷卻管65，以便作為冷卻液流動的通道。此時，冷卻管65與供料管67和排放管61連接。流量控制閥63和69可以連接到供應(yīng)管67和排放管61中的任何一個，以根據(jù)來自控制器83的信號調(diào)節(jié)流經(jīng)冷卻管65的冷卻劑的流量同時，擴(kuò)散爐中使用的大多數(shù)法蘭都是在韓國生產(chǎn)和使用的，最大可達(dá)250毫米， 但 300 mm 法蘭完全依賴進(jìn)口。最近，海力士半導(dǎo)體和三星電子等半導(dǎo)體公司的300mm擴(kuò)散法蘭的制造方法與300mm線相同，但沒有應(yīng)用于300mm線的擴(kuò)散法蘭的制造技術(shù)。300mm擴(kuò)散法蘭的制造方法需要焊接工藝，需要耐高溫的耐用性，需要技術(shù)，并且必須伴隨著可以控制溫度的冷卻技術(shù)。

本文提供一種300毫米擴(kuò)散法蘭及其制造方法，本文的目的是提供一種能夠防止冷卻和法蘭上結(jié)露的技術(shù)。本文提供一種常規(guī)的擴(kuò)散法蘭，包括本體、上緊固部分和下緊固部分、真空口和氣體入口，其中，在上部緊固部分和下部緊固部分，在冷卻管路內(nèi)部形成圓形冷凝發(fā)生管并排放水蒸氣的防止裝置設(shè)置在第一冷卻管路的上部或下部聯(lián)軸器部分，第二冷卻管線用于循環(huán)冷卻水一圈，第一進(jìn)氣口在體內(nèi)形成多個小直徑進(jìn)氣口，在第一注氣口的另一側(cè)形成大直徑的第二注氣口，以便順利混合待注入的氣體。一種擴(kuò)散法蘭的制造方法，其中在下部形成上緊固部分和下緊固部分，并在主體中形成真空口和氣體注入口以便與空心部分相通，用圓形冷卻蓋封閉冷卻槽部分并將冷卻槽部分焊接到冷卻槽部分以使冷卻水通過冷卻槽部分兩端的冷卻蓋， 冷卻排氣口相互焊接形成冷卻裝置， 在上緊固部分或下緊固部分的外側(cè)形成冷卻裝置， 形成冷凝槽形部分; 靠近結(jié)露的蓋槽圓形輪輞，焊接粘結(jié)的步驟;而形成防結(jié)露裝置是通過焊接水蒸氣排放口，使凝結(jié)蓋穿透冷凝槽和冷凝槽部分的任一個。預(yù)計本發(fā)明的擴(kuò)散法蘭可以對國內(nèi)市場和出口行業(yè)做出巨大貢獻(xiàn)，因為它被設(shè)計為應(yīng)用于完全依賴進(jìn)口的300毫米法蘭。優(yōu)點是可以有效地用于制造的罩式擴(kuò)散爐。

圖3是根據(jù)本文實施例的擴(kuò)散法蘭的透視圖，圖4是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的擴(kuò)散法蘭的剖視圖，圖5是圖3部分B中詳細(xì)顯示防結(jié)露裝置結(jié)構(gòu)的透視圖。參考圖3，熔融法蘭100是通過在垂直空心圓柱體110上水平突出上緊固部分111和下緊固部分112而形成的整體。本體110、上半身110、上半身111和下半身112通過使用車床焊接和銑削連接在一起，或者可以通過模具整體成型。上部連接部分111和下部聯(lián)軸器部分112是嚙合裝置，例如形成突出物或凹槽，以固定在內(nèi)管、外管或電梯室的擴(kuò)散裝置上。以這種方式形成的擴(kuò)散法蘭100的本體110在其一側(cè)具有連接到真空泵（未示出）的真空口（未示出），并且在本體110的一側(cè)和另一側(cè)形成氣體入口。[氣體入口的形成使得第一入口120a和第二入口120b彼此面對。第一入口120a由多個具有小直徑的小通道形成以注入少量氣體，第二入口120b形成具有大直徑的大通道以注入大量氣體。用于施加氧化膜的氣體通過法蘭100的氣體入口引入，并且這些氣體進(jìn)入法蘭100并相互混合。此時，少量氣體流入第一入口120a，大量氣體流入第二入口120b并根據(jù)混合物的量混合。（120b）形成彼此面對。當(dāng)不同的氣體混合時，通過在法蘭中心將氣體相互混合來實現(xiàn)氣體的混合。法蘭（100）設(shè)有冷卻裝置。冷卻裝置包括第一冷卻管線130a，形成在上部連接部分111內(nèi)部形成凈管131a并使冷卻水循環(huán)一圈，第二冷卻管線130b形成于下部連接部分112內(nèi)部的凈耦合部分112和第二冷卻管線130b形成，使冷卻水旋轉(zhuǎn)一圈。如圖4所示，在上下聯(lián)軸器部件111和112的外表面上形成圓形冷卻槽135a和135b，冷卻槽135a和135b不是形成完整的圓形，而是在冷卻槽135a和135b的一側(cè)形成一個入口， 以這種方式形成的冷卻槽135a和135b被焊接到入口上，以便通過冷卻供應(yīng)口132a穿透冷卻蓋136a和136b，并且焊接排氣口132b以穿透冷卻蓋136a和136b，以防止制冷劑在冷凝器130中冷凝。所述防止冷凝裝置140還設(shè)置在本發(fā)明的擴(kuò)散融合100中。通過冷卻裝置冷卻到擴(kuò)散法蘭100，擴(kuò)散法蘭100在高溫下產(chǎn)生熱量防止結(jié)露裝置140設(shè)置在下聯(lián)軸器部分112的第二冷卻管線130b內(nèi)，以防止結(jié)露過程中發(fā)生結(jié)露。管 140.防結(jié)露單元140可以通過在下部連接單元112的外表面上將結(jié)露單元145彎曲成小于第二冷卻線130b的圓形來形成結(jié)露單元140。露水凝結(jié)槽部分145焊接在露水凝結(jié)蓋146上。結(jié)露蓋146形成以便通過形成一個水蒸氣排放口142與冷凝露水部分145相通，以這種方式形成的防結(jié)露裝置140將擴(kuò)散法蘭100通過冷卻裝置140加熱和冷卻時產(chǎn)生的結(jié)露凝結(jié)成水，形成結(jié)露槽部分145中的水，防止結(jié)露裝置140， 由于擴(kuò)散法蘭100是熱的，因此這種冷凝水被水蒸氣汽化，防止結(jié)露裝置140不僅在下耦合部分112中形成，而且在上耦合部分111以及下耦合部分112中形成。可選地，防結(jié)露裝置140可以僅在上部接頭部件111上形成。