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真空釬焊-真空密封容器

發(fā)布人:管理員 發(fā)布時(shí)間:2022-12-26

本文的上述密封釬焊填料包括Ag-Cu活性金屬,其中Cu活性金屬化合物的含量不超過體積的40%。當(dāng)達(dá)到Ag--Cu共晶溫度時(shí),密封釬焊填料開始熔化。由于Cu活性金屬化合物的熔化溫度高,溶解速率低,Cu活性金屬化合物在釬焊填料的初始熔融階段將保持在固相中。如果Cu-活性金屬化合物在所述釬焊填料中保留在固相中,則在初始熔融階段釬焊填料組合物中將出現(xiàn)Cu的明顯降低,從而導(dǎo)致Ag含量升高。因此,釬焊填料的熔化溫度在一定范圍內(nèi)會明顯升高。例如,Cu-Ti化合物在例如由Ag--Cu-Ti組成的釬焊填料中保留在固相中,其中Cu-Ti化合物的含量不超過體積的40%,并且釬料中Cu的明顯降低會發(fā)生,并且在初始熔化階段Ag含量將升高。結(jié)果,如圖4中的Ag-Cu相圖所示,Ag-Cu共晶溫度的A點(diǎn)(780°C.)移動到Ag含量和熔化溫度都較高的點(diǎn)B,并且釬焊填料的熔化溫度在A到B的范圍內(nèi)。

當(dāng)在陶瓷圓筒的開口端和具有框架形端部的金屬密封蓋之間設(shè)置這種釬焊填料并在超過Ag--Cu共晶溫度的溫度下進(jìn)行熱處理時(shí),釬焊填料不會一次全部熔化,并且部分釬焊填料將以未熔化材料的形式存在。未熔化的釬焊填料抑制了熔體釬焊填料的形成,該填料過度爬上密封蓋的框架形端的側(cè)面,從而允許熔體保持在圓柱體開口端表面的一側(cè)。當(dāng)熔化的釬焊填料保持在陶瓷圓柱體開口端表面的一側(cè)時(shí),Cu活性金屬或Cu活性金屬和游離活性金屬會沉淀在界面上,形成活性金屬的分離層。當(dāng)在圓柱體開口端表面形成偏析層時(shí),釬焊填料會在離析層上很好地鋪展,而在形成偏析層的過程中,Cu活性金屬化合物會溶解到釬料中以一定的速率溶解。

當(dāng)Cu活性金屬化合物熔化后,熔化的釬焊填料的成分具有高含量的Cu,最后Ag和Cu組合物將恢復(fù)到熱處理前的狀態(tài)。這種組合物的熔點(diǎn)低于上述初始熔點(diǎn)的表觀熔點(diǎn)。因此,防止了凝固點(diǎn)的升高,并且與初始熔化階段不同,熔化的釬焊填料在熱處理后的冷卻步驟中一次固化。

因此,圖2和圖3所示的兩個長腿密封層3可以分別在陶瓷圓柱體1的開口端和金屬密封帽2的每個框架形端之間形成,通過使用具有上述成分的釬焊填料。此外,由活性金屬制成的兩個隔離層4可以同時(shí)在圓柱體1的開口端的表面上形成。因此,可以得到具有氣缸1開口端的真空密封容器,并且氣密性地與密封蓋2的每個框架形端部密封。

因?yàn)樵谛纬擅芊鈱拥睦鋮s步驟中,釬焊填料可以通過防止其凝固點(diǎn)的升高而一次性固化,因此在沒有能夠用作泄漏通道的收縮標(biāo)記空隙的情況下,可以形成密封性能優(yōu)異的密封層。特別地,當(dāng)使用在Ag-Cu共晶合金組合物中含有Ag-Cu的釬焊填料時(shí),可以在圓柱體1的開口端和密封蓋2的框架形端之間形成具有均勻和精細(xì)結(jié)構(gòu)的密封層,而不會在隨后的冷卻步驟中通過熔化而離開。因此,可以生產(chǎn)出真空密封容器,該容器肯定會防止在密封層中形成泄漏通道。

本文的真空密封容器包括陶瓷圓筒1和兩個金屬密封帽2,每個金屬密封帽2各具有框架形末端。金屬密封蓋2的每個框架形端分別放置在圓柱體1的開口端上。兩個密封層3分別粘貼到氣缸1的開口端,每個框架形端端。每個密封層3由隔離層4組成,由活性金屬制成,形成在圓柱體1的開口端,并且Ag--Cu基主體5從隔離層4突出到框架形末端,密封蓋2如圖3所示。每個密封層3由以下關(guān)系定義:L.gtoreq.4 T和.theta.。ltoreq.60°C,其中L不超過開口端的寬度,并且是散布在圓柱體11開口端表面上的最小長度;T為密封蓋12的框架形端部的厚度;和 .theta。是與開口端表面的角度。

兩個密封層分別粘貼密封蓋2的每個框架形端部到圓柱體1的開口端,并且每個密封層4具有由與圓柱體1開口端表面接觸的活性金屬制成的隔離層4。因此,可以實(shí)現(xiàn)真空密封容器,包括具有開口端的氣缸1,并且分別與密封蓋2的框架形端部密封。

此外,真空密封容器優(yōu)良的氣密性能必定能防止密封層中的泄漏通道,可以通過形成主體5構(gòu)成每個密封層3的Ag--Cu共晶合金實(shí)現(xiàn)具有精細(xì)共晶結(jié)構(gòu)。

通過參考以下優(yōu)選實(shí)施例更詳細(xì)地描述本發(fā)明。

例 1

首先,制備由57.7mol % Ag,38.5mol %Cu和3.8mol % Ti組成的熔體,并在所需的模具中逐漸冷卻,以形成外徑為39 mm,內(nèi)徑為38.5 mm,厚度為0.2 mm的環(huán)形釬焊填料,其中整個Ti基本上以Cu4 Ti的形式存在。該釬焊填料中Cu4 Ti的體積比為27%,通過對其截面的評估確定。請注意,環(huán)形釬焊填料可以通過沖壓由金屬部件組成的板來形成。

然后,制備了兩個由SUS 304制成的密封蓋,每個密封蓋的末端呈圓形,厚度為0.5 mm,外徑為39 mm,高度為5 mm。此外,還制備了由94%純度氧化鋁制成,外徑為44 mm,內(nèi)徑為39 mm,高度為52 mm的圓柱體。隨后,將密封蓋的每個圓形端分別放置在圓柱體的開口端上。將上述方法得到的每個環(huán)形釬焊填料分別插入圓柱體的開口端和圓形端之間。將所得構(gòu)件引入真空爐中,然后真空爐抽真空至6.times.10@-4 Pa,并以327°C./小時(shí)的升溫速率將溫度升至810°C.,并將該溫度保持20分鐘,然后將試樣在爐中冷卻,以制造真空密封容器,該容器包括具有開口端的圓柱體,每個密封蓋的每個圓形端由每個密封蓋密封。分別是密封層。

比較例1

真空密封容器的制造方式與實(shí)施例1相同,不同之處在于使用與實(shí)施例1相同的成分層壓Ag,Cu和Ti箔制備的兩個層壓板作為密封釬焊填料,并且每個層壓板的布置使得Ti箔位于圓柱體的開口端, 分別。

比較例2

真空密封容器的制造方式與實(shí)施例1相同,只是在無定形狀態(tài)下使用與實(shí)施例1相同的Ag,Cu和Ti組成。釬料中以無定形狀態(tài)存在的Ti形式不是Cu4 Ti。

檢查了實(shí)施例1和比較例1和2中獲得的真空密封容器的密封部分的形狀和狀態(tài)。結(jié)果表明:實(shí)施例1真空密封容器中各密封層3由分離Ti層4和主體5組成,L為10 mm(即20 T;T是所述密封帽的厚度)和.theta。為30°C,如圖3所示。分離的Ti層4厚度為2 .μm。在每個密封層3中,主體5由精細(xì)的Ag--Cu共晶合金組成,并且沒有能夠形成泄漏通道的空隙。在比較例1和2的真空密封容器中,在圓柱體1的開口端和密封蓋2的每個圓形端之間形成的每個密封層11分別具有燈泡狀形狀,如圖5所示。需要注意的是,每個密封層11由在圓柱體1開口端側(cè)面形成的分離Ti層12和從分離的Ti層12突出到密封蓋2的圓形端側(cè)的Ag--Cu基主體13組成。

在比較例1中的每個密封層中,L為5毫米(即10噸;L是所述密封帽的厚度),.theta。為100度,與氣缸開口端的接觸面積很小。在比較例2中的每個密封層中,L為5.5毫米(即11噸;T是所述密封帽的厚度),.theta。為110度,與氣缸開口端的接觸面積很小。

檢查了實(shí)施例1和比較例1和2中的真空密封容器的真空密封性能。結(jié)果表明:實(shí)施例1的真空密封容器中沒有發(fā)生泄漏,而比較例1和2中的真空密封容器中的真空度因泄漏而降低。

通過在實(shí)施例1和比較例1和2中的真空密封容器的密封部分涂上紅色油漆來檢查空隙的存在。結(jié)果表明:比較例1中真空密封容器中沒有空隙,而對比例1中真空密封容器中氧化鋁筒與密封層的界面處出現(xiàn)空隙,比較例2中氧化鋁筒與真空密封容器密封層的界面處出現(xiàn)裂紋。

將密封帽沿實(shí)施例1和比較例1和2中的軸線方向從真空密封容器中拉下,并檢查密封部分的斷裂表面。結(jié)果表明,在實(shí)施例1的真空密封容器中,氣缸開口端與密封層之間的各連接界面均未出現(xiàn)空隙,而在比較例1和2的真空密封容器中,氣缸開口端與密封層之間的各連接界面均出現(xiàn)空隙。

例 2

首先,生產(chǎn)由50.0摩爾%銀,41.7摩爾%銅和8.3摩爾%鈦組成的熔體,并將該熔體在所需的模具中逐漸冷卻,形成外徑39 mm,內(nèi)徑38.5 mm,厚度0.2 mm的環(huán)形釬焊填料,基本上以Ti元素和Cu4 Ti的形式包含整個Ti。該釬焊填料中Cu4 Ti的體積比為33體積%,通過對其截面的評估確定。需要注意的是,環(huán)形釬焊填料可以通過沖壓構(gòu)成金屬部件的板來形成。

然后,制備了兩個由SUS 304制成的密封蓋,每個密封蓋的末端呈圓形,厚度為0.5 mm,外徑為39 mm,高度為5 mm。此外,還制備了由94%純度氧化鋁制成,外徑為44 mm,內(nèi)徑為39 mm,高度為52 mm的圓柱體。隨后,將密封蓋的每個圓形端分別放置在圓柱體的開口端上。將上述方法得到的每個環(huán)形釬焊填料分別插入圓柱體的開口端和圓形端之間。將所得構(gòu)件引入真空爐中,然后真空爐抽真空至6.times.10@-4 Pa,并以327°C./小時(shí)的升溫速率將溫度升至873°C.,并將該溫度保持20分鐘,然后將試樣在爐中冷卻,以制造真空密封容器,該容器包括圓柱體,其開口端與密封蓋的每個圓形末端密封,每個密封蓋的每個圓形末端由每個密封蓋密封。分別是密封層。

檢查實(shí)施例2獲得的真空密封容器的密封部分的形狀和狀態(tài)。結(jié)果表明,實(shí)施例2真空密封容器內(nèi)各密封層由偏析Ti層4和基于Ag-Cu共晶合金的主體5組成,L為10 mm(即20 T;T是所述密封帽的厚度)和.theta。為30°C,如圖1所示。分離的Ti層4厚度為3μm。在每個密封層3中,主體5基于精細(xì)的Ag--Cu共晶合金,并且沒有能夠形成泄漏通道的空隙,盡管部分存在未熔化的Cu--Ti化合物。

對真空密封容器的真空密封性能進(jìn)行了檢查。結(jié)果表明,該真空密封容器中沒有發(fā)生泄漏。此外,通過在真空密封容器中的每個密封部分涂上紅色油漆來檢查空隙的存在。結(jié)果表明,真空密封容器中未出現(xiàn)空隙。此外,分別沿軸線方向?qū)⒚總€密封蓋從真空密封容器中拉下,并檢查每個密封層的斷裂表面。結(jié)果表明,氧化鋁筒體開口端與密封層各界面均未出現(xiàn)空隙。

另一種具有優(yōu)良密封性能的真空密封容器,包括一個鋁筒,其開口端分別與不銹鋼密封蓋的每個圓形末端牢固密封,也可以以與實(shí)施例1和2相同的方式制造,甚至可以通過使用由Ag、Cu和Zr組成的釬焊填料,其中Cu--Zr化合物的含量不超過體積的40%或由Ag、Cu和Hf組成的釬料,其中Cu--Hf化合物的含量不超過體積的40%。

如上所述,本發(fā)明可以提供一種用于密封真空密封容器的釬焊填料,其在通潤性方面具有優(yōu)異的陶瓷制成的絕緣容器的開口端。

根據(jù)本文,還可以提供真空密封容器,包括陶瓷圓筒,其開口端分別用金屬密封帽密封,由每個長腿密封層與在開口端表面形成的活性金屬制成的隔離層。

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